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    砷化镓晶片 GaAs Wafer

    我们研发并生产的2-6英半导体级以及半绝缘级高纯度砷化镓晶体和晶片被广泛应用于半导体集成电路以及LED通用照明等领域。

    Our 2’’ to 6’’ semi-conducting & semi-insulating GaAs crystal & wafer are wildly used in semiconductor integrated circuit application & LED general lighting application.


    半导体砷化镓规格 Specifications of semi-conducting GaAs wafer

    生长方法
      Growth Method 

       VGF 

      掺杂类型
      Dopant 

      P型:锌 
      p-type: Zn 

      N型:硅
      n-type: Si

      晶片形状
      Wafer Shape 

      圆形(尺寸2、3、4、6英寸)
      Round (DIA: 2", 3", 4", 6") 

      晶向 
      Surface Orientation * 

      (100)±0.5° 

      * Other Orientations maybe available upon request 
        其他晶向要求可根据客户需求加工 

    Dopant
    掺杂

    硅 (N 型)
    Si (n-type)

    锌 (P 型)
    Zn (p-type)

    载流子浓度
    Carrier Concentration (cm-3)

    ( 0.8-4) × 1018

    ( 0.5-5) × 1019

    迁移率 
      Mobility (cm2/V.S.)

    ( 1-2.5) × 103

    50-120

      位错 
      Etch Pitch Density (cm2) 

     100-5000

    3,000-5,000

    直径
    Wafer Diameter (mm)

    50.8±0.3

    76.2±0.3

    100±0.3

      厚度 
      Thickness (μm) 

    350±25

    625±25

    625±25

      TTV [P/P] (μm) 

    ≤ 4

    ≤ 4

    ≤ 4

      TTV [P/E] (μm) 

    ≤ 10

    ≤ 10

    ≤ 10

      WARP (μm) 

    ≤ 10

    ≤ 10

    ≤ 10

    OF (mm)

    17±1

    22±1

    32.5±1

    OF / IF (mm)

    7±1

    12±1

    18±1

    Polish*

    E/E,
    P/E,
    P/P

    E/E,
    P/E,
    P/P

    E/E,
    P/E,
    P/P

    *E=Etched, P=Polished(*E=腐蚀, P=抛光)

      **If needed by customer 
          根据客户需要 


    半绝缘砷化镓 Specifications of semi-insulating GaAs wafer

    生长方法

      Growth Method 

       VGF 

      掺杂类型

      Dopant 

      SI 型:

    SI Type:  Carbon 

      晶片形状

      Wafer Shape 

      圆形(尺寸2、3、4、6英寸)

      Round (DIA: 2", 3", 4"6") 

      晶向 

      Surface Orientation * 

      (100)±0.5° 

      * Other Orientations maybe available upon request 

        其他晶向要求可根据客户需求加工 

      电阻率 

      Resistivity  (Ω.cm) 

    ≥ 1 × 107

    ≥ 1 × 108

    迁移率

    Mobility (cm2/V.S)

    ≥ 5,000

    ≥ 4,000

      位错 

      Etch Pitch Density (cm2

      1,500-5,000

    1,500-5,000

    晶片直径

    Wafer Diameter (mm)

    50.8±0.3

    76.2±0.3

    100±0.3

    150±0.3

      厚度 

      Thickness (μm) 

    350±25 

    625±25

    625±25

    675±25 

      TTV [P/P] (μm) 

    ≤ 4

    ≤ 4

    ≤ 4

    ≤ 4

      TTV [P/E] (μm) 

    ≤ 10

    ≤ 10

    ≤ 10

    ≤ 10

      WARP (μm) 

    ≤ 10

    ≤ 10

    ≤ 10

    ≤ 15

    OF (mm)

    17±1

    22±1

    32.5±1

    NOTCH

    OF / IF (mm)

    7±1

    12±1

    18±1

    N/A

    Polish*

    E/E,

    P/E,

    P/P

    E/E,

    P/E,

    P/P

    E/E,

    P/E,

    P/P

    E/E,

    P/E,

    P/P

    *E=Etched, P=Polished (*E=腐蚀, P=抛光)

      **If needed by customer 

          根据客户需要 


    III-V族衬底产品营销中心:
    联系电话:+86 871 65936955
    E-mail:[email protected] / [email protected]
    传真:+86 871 65902819
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